英特尔代工服务宣布使用革新的减成法钌互连技术，成功减少芯片内互连线间电容达25%，提高芯片性能。该技术通过新型金属化材料和空气间隙达成微缩进步，有望在将来制程节点中应用，推进半导体技术进步。
最近，英特尔代工服务在半导体芯片制造范围获得了一项引人注目的技术突破。公司宣布，其最新的减成法钌互连技术(subtractive Ruthenium)在芯片内互连技术方面达成了重大进展，该技术可以将线间电容减少高达25%，从而显著提高了芯片内互连的性能。
据介绍，减成法钌互连技术通过引入钌这种新型重点金属化材料，结合薄膜电阻率和空气间隙技术，达成了互连微缩的要紧进步。这种革新的工艺防止了传统制造过程中需要的昂贵光刻空气间隙地区，同时不再依靠于选择性蚀刻的自对准通孔技术。在25纳米及以下的特点尺寸中，减成法钌互连技术所达成的空气间隙可以显著减少线间电容，最高可达25%，使其成为在紧密间距层中替代传统铜镶嵌工艺的可行金属化策略。
这一技术突破不只提升了芯片性能，还为将来的芯片制造提供了新的可能性。英特尔代工服务表示，这一解决方法预计将在其将来的先进制程技术中得到应用，这将进一步巩固公司在半导体制造范围的领导地位，并推进整个行业向更高效、更高性能的芯片技术迈进。伴随这一技术的推行和普及，大家有望看到电子设施性能的大幅提高，与能效的显著改变。
